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HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底,以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池,Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间添加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。规范晶体硅太阳能电池是一种同质结电池,即 PN 结是在同一种半导体材料上构成的,而异质结电池的 PN 结选用不同的半导体材料构成。日本三洋公司在 1990 年创造出 HIT 电池并请求为注册商标,因而异质结电池又被称为 HJT(Heterojunction Technology)或 SHJ(Silicon Heterojunction)。
(1)转化功率高:HIT 电池选用非晶硅层下降外表悬挂键密度和异质结界面态密度,完成超高转化功率。HIT 电池的开路电压能够到达 740mV 以上,首要原因是:1)硅片外表的晶体结构具有不连续性,悬挂键密度高导致缺点密度大,非晶硅层经过下降外表悬挂键的密度完成优秀的界面钝化;2)HIT 电池在单晶硅衬底和掺杂非晶硅薄膜之间插入了一层较薄的本征非晶硅薄膜,使得异质结界面的界面态密度大幅度下降,因而电池的开路电压比惯例电池高,从而完成超高转化功率。现在,HIT 电池的实验室功率在 26%以上,现有设备的均匀量产功率在 23%以上,功率优势明显。
(2)双面率高:HIT 电池为正反面对称结构,且背面无金属背场阻挠光线进入,因而其天然具有双面发电能力,且双面率可超越 95%,可在扩展使用规划(沙地、雪地、水面等)的一起进一步提高发电量。
(3)无光衰:由于 HIT 电池上外表为 TCO,电荷不会在电池外表的 TCO 上发生极化现象,因而 HIT 电池无 PID、LePID 现象。松下 HIT 组件 25 年后发电量仅下降 8%。
(4)温度系数低,高温环境发电量高:HIT 电池的温度稳定性好,与单晶硅电池-0.42%/℃的温度系数比较,HIT 电池的温度系数可到达-0.25%/℃,使得电池即便在光照升温情况下仍有好的输出。在一天的正午时分,HIT 电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出 8-10%,双玻 HIT 组件的发电量高出 20%以上,具有更高的用户附加值。
(5)弱光呼应高:理论研讨标明,并联电阻越大,光伏组件的弱光呼应越强。薄膜电池由于并联电阻遍及比较大,所以弱光呼应遍及比较好。HIT 电池归于薄膜电池,因而弱光呼应功能更好。
(6)工艺过程少:HIT 电池出产工序仅需 4 步,量产具有优势。现在,干流的 PERC电池量产需求 8-10 道工序,TOPCon 需求 11-12 道工序,而 HIT 电池的工序仅为 4 道。从理论上讲,HIT 工艺过程少,能够极大的下降电池的不良率,以及人工、运维等其他出产成本。
(7)结构对称,薄片化潜力大:HIT 电池完美的对称结构和低温度工艺使其十分适于薄片化。现在 PERC 电池所用硅片干流厚度为 170-180μm,HIT 电池所用硅片厚度现已降至 160μm 以下,且具有较大的薄片化空间。
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2024-February-04
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